| 型号： | MJ11016G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS DARL NPN 30A 120V TO3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| MJ11016G PDF |  |
| 产品目录绘图 | Transistor TO-3 Pkg |
| 标准包装 | 100 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 30A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 4V @ 300mA，30A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 1000 @ 20A，5V |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 频率 - 转换 | 4MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3 |
| 包装 | 托盘 |
| 产品目录页面 | 1559 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MJ11016GOS |